博世第三代碳化硅芯片发布，性能跃升20%赋能电动出行

碳化硅（SiC）半导体是提升电动汽车效率、增加续航里程的核心关键，博世正式推出第三代碳化硅芯片，已逐步向全球汽车制造商提供样片，助力搭载该芯片的电动汽车加速落地，同时宣布投入数十亿欧元完善全球制造网络，深化本土能力建设，精准响应中国新能源汽车市场需求。

“我们正助力客户将动力更强、效率更高的电动汽车推向市场。”博世集团董事会成员、博世智能出行集团主席马库斯·海恩博士表示，“碳化硅半导体是电动出行的核心‘节拍器’，它们精准控制能量流，并使其达到最高效的状态。”

博世第三代碳化硅芯片实现综合性能提升20%，可进一步大幅提高整个电驱系统的效率，相较于传统硅芯片，其开关速度和运行效率优势显著，既能减少能量损耗，还能提升电子设备的功率密度，同时芯片尺寸比上一代更精巧。这种小型化设计是实现长期成本效益的关键，可在单片晶圆上产出更多芯片，推动高性能电子器件普及。自2021年第一代产品投产以来，博世已在全球交付超过6000万颗碳化硅芯片。

“中国不仅是全球最大的新能源汽车市场，更在800V高压平台等前沿电气化架构的普及上处于领先地位。”博世功率半导体亚太区负责人Bruno Schuster表示，“我们全新的第三代碳化硅技术专为满足这些严苛的高效能需求而设计，将结合全球技术储备与本土服务能力，全力赋能中国本土汽车客户创新发展。”

在全球产能布局上，博世持续加大投资力度：持续升级德国罗伊特林根工厂，采用先进的200毫米晶圆生产第三代碳化硅芯片；计划投资约19亿欧元，装备美国加利福尼亚州罗斯维尔收购的生产基地，预计今年内产出首批客户测试样片。两大工厂协同保障供应，打造更具韧性的全球供应链，中期目标将碳化硅功率半导体年产能提升至数亿颗级别，成为目前唯一一家自主生产碳化硅芯片的汽车零部件供应商。

针对中国市场，Bruno Schuster补充道，当前中国新能源汽车正从400V向800V高压平台跨越式发展，对高性能、高可靠性碳化硅芯片需求迫切。博世德、美双中心产能布局，既能提供充足跨区域产能保障，也能通过稳健的全球供应链，助力中国本土车企规避出海供应风险，保障生产稳定。

深耕中国本土市场，博世已在上海组建专门的碳化硅功率半导体研发团队及测试实验室，精准匹配本土市场差异化需求，提供敏捷技术支持；同时，苏州碳化硅功率模块生产基地已实现本土化量产。这种“全球芯片供应+本土模块制造+本地研发验证”的组合方案，可与本土车企、衬底供应商深度协同，大幅缩短样片到量产的转化周期。

博世第三代碳化硅芯片的卓越性能，离不开独特的“博世工艺”（Bosch process）。这项自1994年起便获业内认可的技术，最初为传感器开发，其沟槽刻蚀技术可在碳化硅中构建高精度垂直结构，大幅提升芯片功率密度，这也是该芯片在800V高压应用场景中表现出色的核心原因。

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